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# 電智學(xué)院舉辦第一場學(xué)術(shù)月

導(dǎo)師論壇#

為豐富電智學(xué)院研究生的學(xué)術(shù)生活，幫助研究生了解專業(yè)領(lǐng)域的研究動態(tài)，啟發(fā)科研思路，拓寬學(xué)術(shù)視野，提高學(xué)術(shù)水平。電子信息與人工智能學(xué)院舉辦了第一場學(xué)術(shù)月導(dǎo)師論壇。

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12月10日下午，研究生學(xué)術(shù)活動月的首場報告在實驗樓2A206隆重舉行，本次邀請到了碩士生導(dǎo)師、“陜西高校青年杰出人才”丁利蘋副教授為大家做本次報告。電智學(xué)院20級和21級研究生聆聽了本次報告。

丁利蘋老師的報告圍繞“二維半導(dǎo)體材料MoS2的CVD生長機理及相變過程研究”進行講述。介紹了二維半導(dǎo)體材料二硫化鉬的生長機理及相變過程。二維MoS2具有類石墨烯的眾多優(yōu)點，同時兼具位于可見光波段的直接帶隙。在電子器件、光探測器等領(lǐng)域的應(yīng)用具有獨特優(yōu)勢。其應(yīng)用的前提是大尺寸、高品質(zhì)單晶MoS2薄膜的制備。其課題組對二維MoS2在金基底的CVD生長機理進行了系統(tǒng)研究，并直觀展示了MoS2的成核及相變過程。研究結(jié)果可為二維MoS2的制備及應(yīng)用提供理論依據(jù)。

報告結(jié)束后，同學(xué)們積極踴躍進行提問，丁老師逐一進行解答，并針對同學(xué)們提出的關(guān)于該領(lǐng)域今后發(fā)展方向等實際問題，進行了詳細的解答。本次報告會中，同學(xué)們認真聆聽，積極思考，對該領(lǐng)域后期的發(fā)展方向、課題研究進行的認真思考，進一步開闊了同學(xué)們的學(xué)術(shù)視野。

圖文來源 |電智學(xué)院

編輯 | 魏兵、劉書磊

內(nèi)容審核 |胡亞華

責(zé)任編輯| 盧文玉

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