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近日，我?；瘜W(xué)與材料科學(xué)學(xué)院接文靜課題組和香港理工大學(xué)郝建華課題組關(guān)于碘氧化鉍（BiOI）納米材料憶阻器的最新研究成果“High-Performance Memristor Based on 2D Layered BiOI Nanosheet for Low-Power Artificial Optoelectronic Synapses”在國(guó)際高水平學(xué)術(shù)期刊“ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS”上發(fā)表。

該研究成果以四川師范大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院為第一完成單位，接文靜研究員為第一通訊作者，我校2019級(jí)碩士研究生雷沛先為第一作者?！癆DVANCED FUNCTIONAL MATERIALS”是材料科學(xué)領(lǐng)域國(guó)際頂尖的學(xué)術(shù)期刊之一，中科院JCR分區(qū)為一區(qū)，2021年影響因子為18.808。該學(xué)術(shù)成果是化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院在對(duì)外合作、人才培養(yǎng)、科學(xué)研究和學(xué)科建設(shè)的重要標(biāo)志之一。

憶阻器在成為下一代非易失性存儲(chǔ)器的競(jìng)爭(zhēng)中有巨大的潛力，其具有的非線性電導(dǎo)變化特性可以實(shí)現(xiàn)生物神經(jīng)的模擬。此外，基于二維材料特殊電、光性能構(gòu)建的憶阻器在低功耗存儲(chǔ)和光電突觸方面都具有重要的應(yīng)用前景。

接文靜團(tuán)隊(duì)基于二維層狀BiOI納米材料制備了具有雙極電阻切換行為的高性能憶阻器。該憶阻器具有約0.05V的超低SET電壓、高達(dá)105的開(kāi)關(guān)比、良好的耐久性和保持特性，同時(shí)表現(xiàn)出低功耗行為。由于BiOI材料優(yōu)異的光電特性，制備的憶阻器不僅具有電驅(qū)動(dòng)的長(zhǎng)時(shí)程增強(qiáng)（抑制）可塑性和成對(duì)脈沖易化等電突觸功能，而且還具有“學(xué)習(xí)經(jīng)驗(yàn)”的光電突觸行為，展示了在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算和類(lèi)視網(wǎng)膜傳感器中潛在的低功耗應(yīng)用。

來(lái)源 | 化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院、科技處

編輯 | 李菲楊

初審 | 楊泓皓

終審 | 黃嬌 徐聰林